存储市场分化！2027年DRAM供给仍吃紧 NAND Flash供需松动

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍以AI应用为主导。

DRAM方面，受HBM持续挤压产能及AI服务器需求强劲影响，CPU用存储器与HBM采购动能不断攀升，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。

NAND Flash方面，则因新产能集中释放、终端消费需求持续走弱，预计2027年下半年供给将趋于宽松，价格面临修正压力。

为应对AI基础设施建设带来的中长期需求，各大DRAM原厂已提前启动产能扩充计划。短期内，供应商积极提升既有厂区产能，同时加速制程升级、降低产品转换频率，以支撑2026年整体位元供给扩张。

进入2027年，尽管数家供应商的新产能规划陆续投产，但受限于建厂工期、设备移机及原物料等前置作业，多数新厂投片放量将集中于下半年；考虑生产周期，显著的产出贡献预计延至2028年兑现。

此外，HBM制造流程所需的晶圆投入远高于一般型DRAM，新增投片量无法等比例转化为有效位元产出，进一步限制了2027年DRAM整体位元供给成长幅度，市场供应能力持续收紧。

TrendForce指出，2026年DRAM供需位元缺口约为-1%至-2%；2027年需求增速将超越供给增长，缺口进一步扩大。但需留意，2026年主要CSP资本支出维持历史高位，若2027年存储器价格持续高企，其在整体CSP资本支出中的占比将相应上升。

NAND Flash方面，2026年原厂主要通过制程升级增加位元供给。由 AI服务器及高容量Enterprise SSD需求旺盛，供应商持续提高企业级SSD的供给比重，以规避消费端需求疲软带来的获利风险。

2027年，随着各大厂商加速升级至高层数产品以及新厂产能逐步释放，预计位元供给成长幅度将超过2026年，市场产出规模迎来显著扩张。