Intel的下半年：两代并存 乱！乱！乱！

据VR-Zone中文版获悉，许久没有更新路线图的Intel终于拿出了一张新的图表，展示了今年以及明年初的处理器规划——那叫一个乱。

高端发烧级市场上，Haswell-E是今年的主打歌，下一代Broadwell-E将在2016年初登场，但是除了工艺进步到14nm之外，变化并不大，还是八核/六核、140W、X/K版本，一如当年从Sandy Bridge-E走向Ivy Bridge-E。

主流市场上，Broadwell的桌面版将在第二季度到来，但是仅仅有四核、65W的解锁版本，而且没有划归到K系列之中。

真正的看点14nm Skylake-S安排在六月初的台北电脑展上发布，照例提供95W K、65W、35W等不同档次，包括四核和双核，但具体型号未定。

搭配的100系列芯片组主板也同时推出，内存支持DDR3、DDR3L、DDR4，具体看厂商的选择。预计选择DDR3的仍会占多数，DDR4则用于一些高端产品，说不定还会有两种插槽并存的，至于DDR3L真的不建议做。

低压低功耗方面(主要是一体机、瘦客户端什么的)，22nm Broadwell-U已经发布，但寿命会很短，年中就会有新的Skylake-U，甚至比主流的Skylake-S来得更快，但规格上还是双核，28W、15W，单芯片。

入门级领域(迷你机之类的)，Bay Trail-D将在二季度初被14nm Braswell所取代，但仍然是四/双核、10W、BGA SoC单芯片。

总的来说，Intel处理器未来一年呈现两个趋势：

1、产品线很混乱，Haswell、Broadwell、Skylake三代并存，9、100系列主板都有，选择困难症的麻烦了；

2、工艺全面转向14nm，但是总体规格和22nm时代的几乎完全一致，不要指望有什么明显提升。