Blackwell架构的RTX 50系列显卡预计在2025年登场,根据靠谱曝料者kopite7kimi的最新说法,其制造工艺将升级为台积电3nm。 目前唯一使用3nm工艺的就是苹果A17 Pro,不过还是第一代N3。目前还不清楚NVIDIA会使用哪个版本,大概率还是定制版。 相比RTX 40系列现在使用的台积电4N 5nm工艺相比,据说NVIDIA使用的3nm可在同等功耗下降性能提升最多15%,或者在同等性能下将功耗降低最多30%,最关键的是核心面积可以减少大约42%! RTX 4090使用的AD102核心面积为609平方毫米,相比于三星8nm工艺的RTX 3090 Ti GA102 628平方毫米几乎不变,而换上台积电3nm之后,即便晶体管再次大大增加,面积也能缩小很多,对于降低成本、提高良率至关重要。 另外,RTX 50系列还有望升级到DisplayPort 2.1接口规范,相比现在的1.4版本实现一次飞跃,也可以追上AMD RX 7000系列。 DP 1.4仅支持HBR 3,四通道下有效带宽仅为25.9Gbps。 DP 2.0则升级到了HBR 13.5,有效带宽高达52.2Gbps,完全可以满足16K超高分辨率输出的需求。 虽然绝大多数普通人根本用不到如此带宽,但对于顶级玩家、专业设计师来说将不存在任何限制。 此外,RTX 50系列有望引入PCIe 5.0,成为摩尔线程MTT S系列之后第二款PCIe 5.0显卡。 公版供电接口将继续使用16针,但可能会更新为12V-2x6版本,比现在的12VHPWR更可靠,高功率下也不容易烧毁。 当然了,RTX 50系列还会升级到GDDR7显存。 |
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